Mendeley出力
＜図書＞
ヒヤク スル SiC ト GaN
飛躍するSiCとGaN / 日経エレクトロニクス編集
(次世代パワー半導体 ; 2)
| 出版情報 | 東京 : 日経BP社 , 2013.12 |
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| 巻冊次 | ISBN:9784822276782 ; PRICE:40000円+税 
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| ISBN | 9784822276782 |
| 本文言語 | 日本語 |
| 別書名 | 標題紙タイトル:動向 : 次世代パワー素子 : 基板 : 周辺技術 : Siデバイス 奥付タイトル:次世代パワー半導体II |
| 大きさ | 206p : 挿図 ; 28cm |
[BOOKデータASPサービス] あらすじ／目次
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| 著者標目 | 日経エレクトロニクス <ニッケイ エレクトロニクス> |
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| 書誌ID | 1400270715 |
| NCID | BB14395735 |
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| 配架場所 | 巻 次 | 請求記号 | 資料番号 | 状 態 | コメント | 利用注記 | 予約・取寄 | 資料メモ | 仮想書架 |
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| 小:2閲B1FエリアC |
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549.8/N73/2 | 23011000025798 |
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