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<図書>
ヒヤク スル SiC ト GaN
飛躍するSiCとGaN / 日経エレクトロニクス編集
(次世代パワー半導体 ; 2)

出版者 東京 : 日経BP社
出版年 2013.12
巻冊次 ISBN:9784822276782 ; PRICE:40000円+税 REFWLINK
ISBN 9784822276782
本文言語 日本語
別書名 標題紙タイトル:動向 : 次世代パワー素子 : 基板 : 周辺技術 : Siデバイス
奥付タイトル:次世代パワー半導体II
大きさ 206p : 挿図 ; 28cm
目次/あらすじ

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著者標目  日経エレクトロニクス <ニッケイ エレクトロニクス>
書誌ID 1400270715
NCID BB14395735

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小:2閲B1FエリアC
549.8/N73/2 23011000025798