サトウ, マサタカ
佐藤, 政孝
著者名典拠詳細を表示
| 著者の属性 | 個人 |
|---|---|
| コード類 | 典拠ID=5000117248 |
| 1 | 高濃度イオン注入炭化シリコン非晶質層の再結晶化と不純物効果の解明 / 佐藤政孝研究代表者 [小金井] : [佐藤政孝] , 2006.3 |
| 2 | 中性子転換注入によるGaAsへのドーピングに関する研究 / 佐藤政孝[著] [東京] : [佐藤政孝] , [1992.3] |
| 3 | 中性子転換注入GaAsの電気的性質と放射線損傷 / 佐藤政孝著 ; 岩村国也指導 [東京] : [佐藤政孝] , [1986.3] |